La spettrometria di emissione di raggi X indotta da elettroni a bassa energia (LEXES) è una tecnica unica per l’analisi elementale selettiva sulla superficie vicina utilizzata per la metrologia dei semiconduttori.
La spettrometria di emissione di raggi X indotta da elettroni a bassa energia (LEXES) consiste nell’irradiare un campione solido da un fascio di elettroni a bassa energia e nell’analisi dei raggi X morbidi emessi dal bersaglio.
Poiché i raggi X sono caratteristici degli elementi che emettono, si ottiene un’analisi elementale selettiva. La profondità analizzata può essere variata da 1 a 700 nanometri, a seconda di parametri quali elemento, matrice ed energia elettronica primaria.
La modellizzazione precisa dell’interazione elettrone / materia primaria e dell’assorbimento dei raggi X morbidi consente una quantificazione elementare precisa della profondità campionata su un ampio intervallo di concentrazioni (dal 100% in% fino a decine di ppm).
Gli effetti matrice sono piccoli e ben modellati. Pertanto, sono prontamente disponibili campioni standard (materiali puri o composti stechiometrici). Una delle principali applicazioni della tecnica LEXES è la rapida misurazione quantitativa della dose di impianti ultra-superficiali in un ampio intervallo di dosi, con o senza ricottura. Oltre alla misurazione della dose, le informazioni sulla distribuzione della profondità vengono anche estratte dall’analisi del segnale a diverse energie primarie (diverse profondità campionate).
