Una delle principali applicazioni della tecnica LEXES è la rapida misurazione quantitativa della dose di impianti ultra-superficiali in un ampio intervallo di dosi, con o senza ricottura. Oltre alla misurazione della dose, le informazioni sulla distribuzione della profondità vengono anche estratte dall’analisi del segnale a diverse energie primarie (diverse profondità campionate). LEXES è una tecnica estremamente sensibile che soddisfa perfettamente le esigenze della tecnologia di impianto LE e ULE (Ultra Low Energy). La dimensione del raggio è pienamente compatibile con i wafer modellati.
Oltre alla metrologia dell’impianto, è possibile monitorare la composizione chimica in tutte le pile di ossido e / o metallo (da poche Å a diverse centinaia nm). Vengono affrontati i principali parametri critici come le dosi di lantanio e alluminio in HKMG e la quantificazione di azoto e ossigeno in ossinitruri. In strati epitassiali come SiGe, la composizione e lo spessore dello strato di SiGe possono essere misurati contemporaneamente al boro o al drogante di fosforo. Le crescenti esigenze di misurazione accurata della dose degli impianti ULE e la riconosciuta competenza di CAMECA sia in SIMS che in EPMA hanno portato allo sviluppo di uno strumento metrologico unico e innovativo basato sulla tecnica LEXES, la sonda superficiale EX-300.
Gli effetti matrice sono piccoli e ben modellati. Pertanto, sono prontamente disponibili campioni standard (materiali puri o composti stechiometrici).
Una delle principali applicazioni della tecnica LEXES è la rapida misurazione quantitativa della dose di impianti ultra-superficiali in un ampio intervallo di dosi, con o senza ricottura. Oltre alla misurazione della dose, le informazioni sulla distribuzione della profondità vengono anche estratte dall’analisi del segnale a diverse energie primarie (diverse profondità campionate). LEXES è una tecnica estremamente sensibile che soddisfa perfettamente le esigenze della tecnologia di impianto LE e ULE (Ultra Low Energy). La dimensione del raggio è pienamente compatibile con i wafer modellati.
Oltre alla metrologia dell’impianto, è possibile monitorare la composizione chimica in tutte le pile di ossido e / o metallo (da poche è a diverse centinaia nm). Vengono affrontati i principali parametri critici come le dosi di lantanio e alluminio in HKMG e la quantificazione di azoto e ossigeno in ossinitruri. In strati epitassiali come SiGe, la composizione e lo spessore dello strato di SiGe possono essere misurati contemporaneamente al boro o al drogante di fosforo.
Le crescenti esigenze di misurazione accurata della dose degli impianti ULE e la riconosciuta competenza di CAMECA sia in SIMS che in EPMA hanno portato allo sviluppo di uno strumento metrologico unico e innovativo basato sulla tecnica LEXES, la sonda superficiale EX-300.
App. Notes
