Cameca SIMS 4550

Risoluzione ad alta profondità e rendimento elevato

Con dimensioni del dispositivo sempre più ridotte, i profili degli impianti e lo spessore degli strati dei semiconduttori di oggi sono spesso compresi tra 1 e 10 nm. Il SIMS 4550 è stato ottimizzato per affrontare questi campi di applicazione offrendo un fascio primario ad alta densità di ossigeno e cesio con un’energia di impatto programmabile da 5keV a meno di 150eV.

Flessibilità

Il SIMS 4550 di CAMECA è uno strumento SIMS dinamico che offre la massima flessibilità in condizioni di sputtering (angolo di impatto, energia, specie). Con le opzioni dedicate per la compensazione della carica (pistola elettronica, laser) durante lo sputtering dei campioni, i materiali isolanti possono essere facilmente analizzati. Il SIMS 4550 misura lo spessore, l’allineamento, la brusca, l’integrità, l’uniformità e la stechiometria dello strato. I supporti per campioni possono contenere una varietà di campioni: piccoli pezzi di dimensioni da pochi mm² fino a 100 mm di diametro.

Alta precisione e automazione

L’ottica dell’analizzatore quadrupolo all’avanguardia e le prestazioni da picco a sfondo superiori sono i fattori chiave per i limiti di rilevazione bassi per gli oligoelementi. Il SIMS 4550 offre un’eccellente sensibilità per H, C, N e O grazie al suo design UHV avanzato con pressione della camera principale nella gamma bassa E-10mbar (E-8Pa). Fonti ioniche ed elettronica ultra stabili assicurano la massima precisione e ripetibilità delle misurazioni fino a <0,2% RSD. Il fattore umano sulla precisione è ben preso in considerazione da software di facile utilizzo, impostzioni predefinite, funzionamento remoto e risoluzione dei problemi.

Tutte le impostazioni dello strumento di ciascuna misurazione sono memorizzate in un database. Le misurazioni ripetute sono quindi solo a pochi clic del mouse. Ulteriori funzionalità di automazione